KX1専用リニアアンプ その2

先日からちょっと、進展しましたので紹介。
アンプのファイナルの POWERモジュール IRF530の放熱
ですが、KEMの取説には結構マージンが無いようなことが
書いてあります。(10Wだと。5W位は楽々)
よって、ケースの中に入れるので、ノーマルのヒートシンクだと
熱が逃げ難くなりやや危険と感じ、やはり、ケースをヒートシンク
代わりにする方策を取った。この場合、IRF530とケースのGND
がショ-トしてしまうので、TO-220用の絶縁ブッシュとシリコン
絶縁シートを用いています。
これをやるには、位置決めが大変です。
よって、基板にIRF530をハンダするのは、すべてセットしてからにします。

まずは、IRF530を絶縁ブッシュと絶縁シートを使ってこのようにセット
kem_amp_4.jpg

次に基板を下ろしてきてネジで仮り止め。この時、大抵、「基板を固定するネジ穴」
「IRF530の足への基板の穴位置」「IRF530をケースに止める為の穴位置」
がピッタリいかないはず。
でも、未だ、IRF530を基板にハンダしていないので、IRF530の足の曲げ具合を
調整しながら入れられます。
入れた感じがこんな。(基板の下側にIRF530があります)
kem_amp_3.jpg

ここで、IRF530の足を基板にハンダします。
そうすれば、何度外してもOK! ピッタリ合います。
これは、HF POCKER AMPの手法と同じです。

絶縁ワッシャはちょっとでも噛むと、ネジがIRF530にあたり
ショートするので、慎重に作業が必要です。(ここ非常に重要!!)
ボキは、HF PACKER AMPで何回も失敗してファイナルふっ飛ばしてます。

そうそう、上記写真でノーマルと違うところが分かりましたか?
1、基板の矢印部分の穴を大きくしてこの穴からM3ネジの頭と
  精密ドライバーが入るようにしておきます。
  (そうしないと、外せなくなりますよ。ここもポイント)

2、フェライトビーズで作ったトランスの近くの抵抗が2個大きいでしょ。
  これは、入力1W用(ノーマルは0.3W程度に設定されている)に
  するため、51Ω(1/2Wタイプ)に変更しています。

3、LPFが付いていないのは、3.5/7/10/14 に対応するために
  別基板に作って接続する予定なので、ここでは組み込みません。

後は、LPF製作、スタンバイ機構をどうKX1から駆動させるか?アッテネータ
の製作、etcです。
マダマダ時間掛かりそう。。

P.S.
12~13.8V入力時にこのノーマル 7805の3端子レギュレータは、
放熱大丈夫かな??何か危険な予感。。 大昔の3端子レギュレータ
はこの位だと放熱板を付けたけど。。。


Bye
Dirtbike rider aka JJ1IZW

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No title

この場合、VRはインピーダンスが一定にならないので使えません。また、VRは特性も良くないですし、耐電力も普通のものは100mW程度です。

何種類かのATTを切り替えるか、それともいっそのことALCを組んで出力一定にしてしまうかでしょう。このAMPの構成ではALCを簡単には追加できません。

KEMが10Wにこだわっている理由はいくつかあります。
・放熱に余裕が無い
・出力トランスのコアの容量が足りない
・フィルター関係の耐圧が足りない
このあたりでしょう。おそらく後ろの2点が大きいかと。

FET自身は14A流せるスイッチング電源用ですから余裕があります。ドレイン損失も75Wあります。よって、FETの余裕は十分すぎるくらいあります。共に無限大放熱器の条件にて。(PPで50~100W出力が作れる実力がある)

No title

細いドリルだと,相対的にずれも小さいはず...ってところ.ポンチでマークしても,径の大きなドリルって,結構ずれるんですよね.ちなみに,0.8mmはピンバイス(っていうんでしたっけ)で手作業で穴あけします.

No title

AKIさん了解です。
穴径の精度はでるけど、穴位置の精度はいまいちでないのでは?
小さい穴(ドリル)だからズレが少ないのかな??

ボキの場合、明けようとすると中心がややずれて位置が微妙に
ずれちゃうのですよね。
要は、不器用なんです。。情けないが。。

No title

すみません.基板が正しいです.
穴あけに精度が欲しいときは,一度0.8mmのドリルで穴をあけてから,3mmなり3.2mmなりで穴を広げます.ちょっと面倒ですが.

No title

JUNさん
7805は大丈夫なんですね。ではこのままいきます。
さて換装した抵抗ですが、R4、R5、R14、R15で
R8~R11ではないです。
R4・R5 R14・R15はそれぞれ並列にて使われており
1/6Wタイプが使われております。マニュアルにも書かれて
いるのですが、入力を0.6~1.0にする場合、ここの抵抗
20~50Ωにて調整せよ。となっています。
また、バイアス調整時にはここの抵抗をショートさせて
調整なんです。よって、ボキは並列を止め、それぞれ
一本仕様にして空いたホールをバイアス調整時の
ショート端子にしようとしているためこのようにしました。
ノーマルは1/6Wですので、1本なら1/3Wで良いと思いますが
ここは、余裕みて1/2Wを入れた訳です。

アッテネータなんですが、ボキも悩んでいるんですよね。
周波数によって増副率が違ってくるので、大変なんですよ。

まずは、熱対策をケースにして多少10W超えてもOKにしているのも
この為です。
それでも、ひとつのアッテネータでは対応できそうにもないので2回路
のアッテネータにして切り替えるか?と考えています。
ところで、VRって耐電力って規格上どこかに書いてあるのでしょうか?
VR使って、可変できれば ひとつのアッテネータで済むんですけど。。
だけど、変に動かすと(反対に)大変なことになるから固定式の2回路
でも良いかな?等と考えているとこです。
JUNさんからみて、このKEM AMPが 10W以下にしろとしつこく書いて
いる理由は何と考えますか? 熱でしょうか? もしくは PARTSの耐電力
なんですかね?ただこのアンプは一応リセッタルブルヒューズ使っているので
ある程度の熱がでると、切れちゃうのですけどね。どうなんでしょうか?

AKIさん
そーーーですね。人それぞれ考え方が違ったりして面白いです。
私が、何故 穴を先に明け ズレはFETの足の曲がりで調整するかは
実は理由があります。
ボキは非常に不器用なんです実は。細かい作業なんか特に。
よって、穴位置をマークしてポンチでちょんと目印つけて ドリル
で穴明けするのですけど、それでも時々、少しズレちゃうのです。
今回、特にFETのとこに絶縁ブッシュを使っているので、ここの
ガタは非常に少なく、あとから合わせこむのはボキには難しく、
先にこの部分をきっちり押さえてから他の部位で調整という手法を
取りました。
穴明けの位置精度が悪くて。。。今回も少し基板が曲がってしまっています。Hi

ところで皆さん。基盤って書かれるけど。私は、以前の会社では「基板」っていう課
があったので基板という漢字を使っていますが、こういう場合は、 基盤が正しいのかな?

Bye 

No title

こんな場合に,私がやるであろう手順は,
・基盤を固定する穴を開ける.固定用のビス/ナットを仮に付けておく.
・基盤をひっくりかえして,脚を曲げたTRの背面に両面テープをはり,基盤固定穴
に合わせて,上からケースを載せる.
・TRをケースに押し付けてはりつけて,基盤をはずす.
・TR固定穴をマークして,TRをはがし,穴をあける.
こんな感じかな.
逆にmasaPさんと同じ順番で,基盤固定用の穴を最後に開けるってのもあるかも.
要は,現物合わせ.アマチュアの得意技Hi.

No title

7805の負荷はリレー1個とバイアスだけですよね。
リレーは111mA、バイアスはデバイスがFETなので基本的に電圧をかけるだけ(=0)。なので、7805の損失は多くて1W程度でしょう。だったら放熱板無しで大丈夫です。

R8~11を1Wの抵抗に変えたみたいですが、意味が無いように思えるのですが・・・ 最大入力1Wなので、それ以上入れなければそのままでOKですし、言い換えるとR8~11を大容量に変えても1W以上入れるとFETがオーバードライブになって出力が10Wを超えて壊れると思います。デバイスの定格を見てないので断言できませんが。(限界に関する詳細を調べておきます。

3.5MHzでGain 40倍と書いてあるので、10W出力時の入力は250mW、これ以上入力するのならATTが必須です。この場合は6dB入れておけば3.5MHzで1Wまでの入力に耐えられます。ただし、7MHzでは1W入れて8W、14MHzでは同様に3.25Wしか出ません。
このあたりは気をつけて設計変更してください。
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