また、無線の記事になってシマウマ

さてーーー。今度のGWは、ちょっと お出かけしようと思っている。
その際、KX1を持って行こうと決めた。何故なら、A1 CLUBでのQSO PARTYが
開催されるから、きっと メンバーも沢山QRVすると思っている。

して、先日MOS FETを壊してしまった KEMのリニアアンプ改(For KX1)
をこのお出かけの際に持っていこうと思っている。
どうしてもQSOしたい局が居た場合、3W弱程度のQRPと貧弱アンテナだと厳しい。。
なので、12W程度まで上げられるリニアアンプを持っていくと効果は抜群なのでR。

よって、本日、10回以上 交換しているのでもう慣れてきてしまった MOS FETの
取り換え作業を行った。やっぱり、取りかえると、POWERは復帰した。

これが、吹っ飛んだ MOS FETの IRF530N
2010_04_22_0.jpg


実は、組み立て前の JN1GLB局の頒布した 小型POWER AMPも持っているのだが。。
2010_04_22_4.jpg
絶対に ファンは付けたくないので、(小型にしてもファン付けたら大型になっちうし。。)
どのように仕様を変えようか検討中なのでR。



で、KEM改 POWER AMPは、分解が簡単なように色々工夫してある。
2010_04_22_1.jpg

なもんで、小一時間で IRF530Nを2つ取り替えてまた組み立てなおした。

2010_04_22_2.jpg

2010_04_22_3.jpg

さて、今度のお出かけで、ふっ飛ばずに耐えるか??
兎に角、12V仕様で全て定数決めたので 13.8Vとかになると
また吹っ飛ぶ可能性がでてくるので、電源は12Vで要注意で扱います。

Dirtbike rider aka JJ1IZW

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No title

実際の効率は計っていないですね。
超ABOUTだと 電源部で 12Vで約2.5A~3A流れているようです。
なのでだいたい最大 36W消費ですよね??

だけど、RFとして出てくる出力は、3.5で18W、7で12W、10で 10W 14で5W程度。。
となっています。
MOS FETに入る電流は計っていないけど、だいたい上記の2.5~3Aと考えても良いのかな??

そのままだの値だと 50%弱でしか動作??
若干 損失とかみて(どの程度か分からんけど)
やっぱり、50~60%程度で動作しているのかな??
良く分かりません。
現在、バイアスは限りなく C級状態に近いです。(調整の時はですが)
例のVRのままなので やや怪しげです。Hi

バイアスはやや、流しているという程度。 (数mA)多分。

というか、やはり、違うMOS FETが良いように感じます。
紹介してくれたもののように。
または、TRかな??

100mm×100mmなら 現在のケースで充分OKですね。
あと、電源入力部に3端子12V低ドロップタイプを使う必要があるかも。
どうも、12V ACアダプタで定数決めたけど、家の安定化電源の13.6~14V
に繋いじゃうことあり。。すっかり忘れちゃうのですよね。
特に、電圧によって KX1の 7Mの出力が変化してしまうのでここが大変。

本格的にやると、AMPの入力に自動制御のATT使うことになってしまいますね。
ここまでやるのも、面倒だし。

No title

コレ使ってみたら? 丈夫だよ。 某ハイパワーで使われていたらしい。
http://akizukidenshi.com/catalog/g/gI-03609/
安くないか・・・

シンプルに小型化したいのは判ります。
自然放熱だと結構大きな(熱抵抗の小さな)放熱器が必要になってきます。
IRF530は放熱無しだと熱抵抗は62.5℃/Wと書いてあります。つまり、放熱しないと1Wの損失で62.5℃上がる。175℃の絶対最大までは、室温30度では(175-30)/62.5=2.3Wの損失までしか許されないと言うことです。

さて、たとえば損失が8Wのとき(出力12Wで効率60%)の時に175℃を越えないように放熱するには、室温30度とすると、放熱器に必要な熱抵抗は(175-30)/8=18℃/Wってことになるのかな。
1mm厚のアルミ板だと、25平方cmの面積です。これが最低条件で、温度を下げたければもっと大きくします。
安全率を50%取って放熱器温度を87.5℃までに抑えると、(87.5-30)/8=7.2℃/Wですので、同じく1mmアルミだと100平方cmです。10cm角の面積を持つケースで何とかなる感じでしょう。

CW専用でC級動作なら効率はもっと良くなると思うけど、実際どれくらいの効率で動いていますか? 測ったことありましたっけ。
C級は、バイアス調整VRを、ドレイン電流が流れ出す直前に調整します。

No title

そっかー、確かにファンの方が小さくできるね。
でも、言いたかった事は、小さいというか、シンプルな構造ということだったのです。
表現が難しいなぁ。
特別大きくすることなくヒートシンクやケースシンクで対応が可能なら自然対流
で対処したいのですが。。どうですかね? 10W超えてくるとこの程度の大きさ
ではやや厳しいのかな?

いえいえ、けして 使い捨てじゃないのですが。。IRF530NとかIRF510って日本で
買うと結構高価ですよ。
JUNさん曰く この手の MOS FETは特に POWER AMP用に設計されて
いるわけでなく、扱いが難しいとか。 特に、電圧制御なので、ぎりぎりのとこで
実用的に使っていると何かの拍子に許容値をちょっとでも超えると、スイッチON
のイメージで ドバッ と電流流れて終わり。ということだと聞きました。
管FUSE入れたのですが、それでも追い付かないスピードでMOS FETは
直ぐ逝っちゃうみたいです。

TR仕様の POWER AMP作りたいと思ってきました。
2SC1945はある(持ってる)のだけど、 PP仕様じゃないのですよね。



No title

使い捨て感覚の FET なんですねぇ.ではソケットを外向きにつけ,足の通る穴を開けて,石自体をケースの外側に装着するように改造するとか.もちろん,ネジは手回しローレット付き,交換も簡単ということで.設計者から見るとちょっと嫌味な仕様.笑

No title

ファンつけた方が小型化できますよ。
ファンレスでは放熱のために表面積必要だし。
ファンは2cm角からあります。

そのほか、放熱ジェルシートというのもあります。
ガムというか消しゴムみたいな感じの。
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