MOS-FET

の壊れる 要因の資料がNET上にありました。

http://documentation.renesas.com/jpn/products/transistor/apn/rjj05g0003_power_mos.pdf

37ページはJunさんが心配していることが書かれている。。
ボキもプッシュプルの内 いつも片方が飛ぶのですよね。
瞬間的に片方にかなり負荷がかかってしまうトラブルがあるみたい。

これを読むに、MOS-FETはやはり TRに比べて 素人には
難しそうだ。。
かなり敏感なディバイスだと感じています。
特に、違う用途に使う場合なんかは、慣れていないとダメだな。。

Bye

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色々調べたけど、Kemのリニアには、定石の発振防止の策がされていませんね。確かに。

沢山の資料にプッシュプル、MosFETの時は必ず、抵抗、チョークコイルは必須のような事が書かれいます。何故、Kemさんは省略したのだろう?
コスト?
でも、ここは省略してはいけないような資料ばかりなり。
そうそうMosFETも熱暴走するって書いてありますね。さらに、やはり、グリスの有無は倍以上伝導が良くなるみたい。

No title

前にも書いたと思うけど、MOSって便利だけど扱いが難しいんですよ。

Trは熱暴走するけど緩やかな挙動をするし、壊れたときはオープンモードが殆ど。
対してMOSは熱暴走しない代わりに一気に壊れる。そして、壊れたときはショートモード。つまり、周りを巻き込みやすい。

MOSじゃないFET(接合型)はTrより使いやすく理解しやすいです。
FETが全て難しいのじゃなく、MOSが難しいのです。
もともと最近使われ出したデバイスだしね。

自分もMOSはスイッチとしてしか使ったこと有りません。スイッチとして使うにはとっても便利ですから。(スイッチに使えるFETはエンハンスメント型に限るけど)

MOeru Semiconductor = MOS  (ウソです)

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